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CVD氣相沉積系統(tǒng)
  • ALD原子層沉積系統(tǒng) 原子層沉積(ALD)系統(tǒng)是一種用于在基板表面沉積超薄膜的精密設(shè)備,具有原子級(jí)別的厚度控制能力。ALD系統(tǒng)通常用于半導(dǎo)體制...
  • 派瑞林真空氣相沉積 派瑞林真空氣相沉積是一種專業(yè)的產(chǎn)品,用于在材料表面上制備薄膜。它采用了在真空環(huán)境中使用氣相化學(xué)反應(yīng)來沉積薄膜的先進(jìn)過程。...
  • 迷你石墨烯CVD設(shè)備 迷你石墨烯CVD設(shè)備專為石墨烯生產(chǎn)設(shè)計(jì)配有高精度質(zhì)量流量計(jì)以及薄膜真空規(guī)。迷你石墨烯CVD設(shè)備同時(shí)設(shè)備配有可燃?xì)怏w檢測裝...
  • 1200℃高真空迷你C... 1200℃高真空迷你CVD設(shè)備核心是一款迷你管式爐,采用電阻絲加熱。1200℃高真空迷你CVD設(shè)備包含一臺(tái)三路浮子流量計(jì)...
  • 晶圓級(jí)大尺寸二硫化鉬制... 晶圓級(jí)大尺寸二硫化鉬制備CVD設(shè)備包括三溫區(qū)管式爐,特殊設(shè)計(jì)的爐管及配套氣路一組,晶圓級(jí)大尺寸二硫化鉬制備CVD設(shè)備通過...
  • R-PECVD?真空旋... R-PECVD真空旋轉(zhuǎn)等離子增強(qiáng)CVD設(shè)備由旋轉(zhuǎn)及傾斜機(jī)構(gòu)、單溫區(qū)管式爐、等離子發(fā)生機(jī)構(gòu)、質(zhì)量流量計(jì)供氣系統(tǒng)、高真空分子...
  • 雙溫區(qū)CVD系統(tǒng) 雙溫區(qū)CVD系統(tǒng)由1200℃雙溫區(qū)管式爐、雙通道質(zhì)量流量計(jì)和低噪音雙極旋片真空泵組成。雙溫區(qū)CVD系統(tǒng)管式爐的兩個(gè)溫區(qū)分...
  • 1500℃單溫區(qū)3路質(zhì)... 1500℃單溫區(qū)3路質(zhì)量流量計(jì)高真空CVD系統(tǒng)由1500℃單溫區(qū)管式爐、三路質(zhì)量流量計(jì)和高真空分子泵組組成。管式爐由精密...
  • 1500℃單溫區(qū)3路質(zhì)... 1500℃單溫區(qū)3路質(zhì)量供氣低真空CVD系統(tǒng)由1500℃單溫區(qū)管式爐、三路質(zhì)量流量計(jì)和雙極旋片真空泵組成。管式爐由精密控...
  • 1500℃單溫區(qū)3路浮... 1500℃單溫區(qū)3路浮子供氣高真空CVD系統(tǒng)由1500℃單溫區(qū)管式爐、三路浮子流量計(jì)和高真空分子泵組組成。管式爐由精密控...
  • 1500℃單溫區(qū)3路浮... 1500℃單溫區(qū)3路浮子供氣低真空CVD系統(tǒng)由1500℃單溫區(qū)管式爐、三路浮子流量計(jì)和雙極旋片真空泵組成。管式爐由精密控...
  • 1200℃三溫區(qū)3路質(zhì)... 1200℃三溫區(qū)3路質(zhì)量供氣高真空CVD系統(tǒng)由三溫區(qū)管式爐、三路質(zhì)量流量計(jì)和高真空分子泵組組成。管式爐三個(gè)溫區(qū)分別由精密...
  • 1200℃三溫區(qū)3路質(zhì)... 1200℃三溫區(qū)3路質(zhì)量供氣低真空CVD系統(tǒng)由三溫區(qū)管式爐、三路質(zhì)量流量計(jì)和雙極旋片真空泵組成。管式爐三個(gè)溫區(qū)分別由精密...
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  • 1200℃雙溫區(qū)3路浮... 1200℃雙溫區(qū)3路浮子供氣高真空CVD系統(tǒng)由雙溫區(qū)管式爐和三路浮子流量計(jì)組成。管式爐兩個(gè)溫區(qū)分別由精密控溫儀表獨(dú)立控溫...
  • 1200℃雙溫區(qū)3路浮... 1200℃雙溫區(qū)3路浮子供氣低真空CVD系統(tǒng)由雙溫區(qū)管式爐、三路浮子流量計(jì)和雙極旋片真空泵組成。管式爐兩個(gè)溫區(qū)分別由精密...
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  • 1700℃兩路浮子供氣... 該管式爐可以用于抽真空和通氣氛,所以又叫真空管式爐和氣氛管式爐。爐管材質(zhì)采用高純氧化鋁,*高可在1650℃的高溫工作。為...
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